前瞻技術(shù):
固態(tài)激光雷達(dá)
1.基本原理
分為:外部光源、OPA 光子相位陣列列、分路器、光波導(dǎo)、移相器、光發(fā)射天線陣列
其測(cè)距原理均不使用FOT時(shí)間飛行法,采用相干法
2.關(guān)鍵技術(shù)
光路調(diào)相機(jī)制:PIN調(diào)相 ,切換速度快;熱光子器件調(diào)相,切換速度慢,成熟
硅基光子器件:硅基光敏器件(接收,成熟),硅基激光發(fā)射器件(發(fā)射,不成熟)
光天線:普遍采用波導(dǎo)光柵
光路制備工藝:普遍采用SOI工藝
3.光路調(diào)相
光路調(diào)相有兩種技術(shù):熱光子環(huán)和PIN二級(jí)管,本質(zhì)上都是增加光路時(shí)延。
PIN 調(diào)相(CALTECH)
熱光子開(kāi)關(guān)(MIT)
4.器件
光器件是基于SiGe工藝,接收管可以和SOI工藝兼容。激光管不行。器件看這篇:
專(zhuān)欄作家斛律哥:摩爾定律的黃昏,自動(dòng)駕駛的黎明:站在時(shí)代肩膀上的光電半導(dǎo)體zhuanlan.zhihu.com硅鍺工藝制備的光敏二極管(UCSB),用于接收進(jìn)行波導(dǎo)到光柵的轉(zhuǎn)換利用衍射效應(yīng),通過(guò)光柵將光子發(fā)射出去
硅基芯片上普遍使用的是Focusing gating coupler(聚焦光柵耦合器),發(fā)射天線
5.工藝
典型的光柵制作工藝:
1.紫外光刻
2.感應(yīng)耦合等離子體蝕刻
3.光柵體蝕刻深度70nm深
4. 使用Si3N4制作光波導(dǎo)
5.使用SiGe工藝制作光敏二極管,用于接收